マイクロ流体チップ内の電気浸透流の測定 - Revision history

Mori1240: /* 結果 */

2014-05-26T06:36:38Z

‎結果

Mori1240: /* 結果 */

2014-05-26T06:32:56Z

‎結果

Mori1240: /* Results */

2014-05-26T06:29:18Z

‎Results

Mori1240: /* C4D を使って電気浸透流を測定 */

2014-05-26T06:19:30Z

‎C4D を使って電気浸透流を測定

Mori1240: /* Electro-osmotic Flow Measurement using the C4D */

2014-05-26T06:19:09Z

‎Electro-osmotic Flow Measurement using the C4D

Mori1240: /* 電流をモニターすることによって電気浸透流（EOF)を測定します */

2014-05-26T06:12:24Z

‎電流をモニターすることによって電気浸透流（EOF)を測定します

Mori1240: /* 電流をモニターすることによって電気浸透流（EOF)を測定します */

2014-05-26T06:11:47Z

‎電流をモニターすることによって電気浸透流（EOF)を測定します

Mori1240: /* Electro-osmotic Flow Measurement using the Current Monitoring Method */

2014-05-26T06:10:14Z

‎Electro-osmotic Flow Measurement using the Current Monitoring Method

Mori1240: /* Experimental Setup */

2014-05-26T06:03:48Z

‎Experimental Setup

Mori1240: /* Conditions */

2014-05-26T06:02:24Z

‎Conditions

@@ Line 52: / Line 52: @@
 == '''結果''' ==
 図 1. はカレントモニター (青のプロット) と C4D (黒のプロット) を使った EOF 測定のエレクトロフェログラムです。
-The C4D signal gives a conductivity measurement at a particular point along the channel, and thus there is a sudden decrease in conductivity, when the BGE of lower concentration reaches the position of the C4D electrodes.
+チャネル内がより低濃度のBGEで満たされるにつれ 、カレントモニター法によってチャネル内の平均電導度が示されます。カレントモニターではこれが漸進的に減少し、チャネル全体がより低い濃度のBGEで満たされるとプラトーの状態に達します。
-Figure 2 shows the electropherogram of all the data, where the voltage is applied first in one direction, and then is reversed to make the EOF travel in the opposite direction along the chip’s channel. This is repeated a number of times.
+C4D のシグナルはチャネル内のある特定のポイントの電導度を測定したものです。従って、低い濃度のBGEが C4D 電極に達すると電導度に急激な変化が生じます。
 {|

@@ Line 51: / Line 51: @@
 == '''結果''' ==
-図 1. はカレントモニター(青のプロット)と C4D(黒のプロット) を使った EOF 測定のエレクトロフェログラムです。Figure 1 shows electropherograms for EOF measurements using both  the current monitoring method (blue plot) and C4D (black plot).
+図 1. はカレントモニター (青のプロット) と C4D (黒のプロット) を使った EOF 測定のエレクトロフェログラムです。
-−
 The current monitoring method gives the average conductivity along the channel, as the channel is filled with the BGE of lower concentration. This produces a gradual decrease in the current monitor, until the whole channel is filled with the BGE of lower concentration, and a plateau is reached.
@@ Line 60: / Line 59: @@
 {|
-| [[File:Figure 1. Electropherogram for one run..jpg|450px|thumb|Figure 1. Electropherogram for one run.]]
+| [[File:Figure 1. Electropherogram for one run..jpg|450px|thumb|図 1. １ランのエレクトロフェログラフ]]
-| [[File:Figure 2. Electropherogram while voltage is alternated back and forth..jpg|450px|thumb|Figure 2. Electropherogram while voltage is alternated back and forth.]]
+| [[File:Figure 2. Electropherogram while voltage is alternated back and forth..jpg|450px|thumb|図 2. 印可電圧の極性を反転した時のエレクトロフェログラム]]
 |}

@@ Line 50: / Line 50: @@
              μ<sub>EOF</sub> = L’L/Vt		Equation 2
-== Results ==
+== '''結果''' ==
-Figure 1 shows electropherograms for EOF measurements using both  the current monitoring method (blue plot) and C4D (black plot).
+図 1. はカレントモニター(青のプロット)と C4D(黒のプロット) を使った EOF 測定のエレクトロフェログラムです。Figure 1 shows electropherograms for EOF measurements using both  the current monitoring method (blue plot) and C4D (black plot).
 The current monitoring method gives the average conductivity along the channel, as the channel is filled with the BGE of lower concentration. This produces a gradual decrease in the current monitor, until the whole channel is filled with the BGE of lower concentration, and a plateau is reached.

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	高感度で電導度検出を行うには、ボトムシートの厚さが 0.5㎜以下のマイクロチップを使くことをお勧めします。測定中はプラットフォームを動かしたり手で触らないように注意します。ノイズの原因になります。		高感度で電導度検出を行うには、ボトムシートの厚さが 0.5㎜以下のマイクロチップを使くことをお勧めします。測定中はプラットフォームを動かしたり手で触らないように注意します。ノイズの原因になります。

−	シグナルが最初の安定した状態から急激な電導度変化が生ずるのに要する時間を C4D アンプでモニターします。Equation ２から電気浸透流(EOF)を計算します。ここで L ~~はEOFがフローを開始するリザーバの配置点から検出ポイント間の距離、それ以外のパラメータはEquation１と同じです。~~	+	シグナルが最初の安定した状態から急激な電導度変化が生ずるのに要する時間を C4D アンプでモニターします。Equation ２から電気浸透流(EOF)を計算します。ここで L はEOFがフローを開始するリザーバの配置点から検出ポイント間の距離、それ以外のパラメータはEquation １と同じです。

@@ Line 39: / Line 39: @@
              μ<sub>EOF</sub> = L<sup>2</sup>/Vt 		Equation 1
-== Electro-osmotic Flow Measurement using the C4D ==
+== '''C4D を使って電気浸透流を測定'''==
-The microchip is set up for a close contact with the C4D microfluidic platform by spring screws. The desired detection point in the microchip channel is located at the center position between two detection electrodes on the surface of C4D microfluidic platform. The BGE loading and voltage control in this method is the same as that described in the current monitoring method and the two methods can be run at the same time.
+マイクロチップをC4D マイクロチップ用プラットフォームに置き、スプリングネジを使って均一に接触するように固定します。C4D プラットフォーム表面に装着した二つの検出用電極の中心点が、マイクロ流体チップチャネルの適正な検出ポイントになっています。BGEロードと電圧制御は、前の項で説明した方法と同じです。カレントモニターとこの電気浸透流は同時に測定できます。
-It is generally recommend to use a microchip which has a bottom sheet with a thickness no higher than 0.5 mm, to obtain highly sensitive conductivity detection. Do not move or touch C4D microfluidic platform during experiments to avoid creating noise.
+高感度で電導度検出を行うには、ボトムシートの厚さが 0.5㎜ 以下のマイクロチップを使くことをお勧めします。測定中はプラットフォームを動かしたり手で触らないように注意します。ノイズの原因になります。
-The time required to reach a sharp conductivity change from the beginning stable status is monitored using the C4D Amp. EOF is calculated based on Equation 2 where L’ is the distance between the reservoir where EOF starts flow and the detection point, and the other parameters are the same as those in Equation 1.
+シグナルが最初の安定した状態から急激な電導度変化が生ずるのに要する時間を C4D アンプでモニターします。Equation ２から電気浸透流(EOF)を計算します。ここで L はEOFがフローを開始するリザーバの配置点から検出ポイント間の距離、それ以外のパラメータはEquation１と同じです。
              μ<sub>EOF</sub> = L’L/Vt		Equation 2
 == Results ==

@@ Line 30: / Line 30: @@
 == '''電流をモニターすることによって電気浸透流（EOF)を測定します'''==
-電流をモニターする方法で EOF を測定することに関しては以前に報告*しました。簡単に説明すると、一つのリザーバとチャネルに 20 mM のBGE を充填し、別のリザーバに 18 mM のBGEを入れます。最初のリザーバに+の高電圧を掛けると直ぐに電気浸透流が始まり、チャ
+電流をモニターする方法で EOF を測定することに関しては以前に報告（下記参照）しました。簡単に説明すると、一つのリザーバとチャネルに 20 mM のBGE を充填し、別のリザーバに 18 mM のBGEを入れます。最初のリザーバに+の高電圧を掛けると直ぐに電気浸透流が始まり、チャ
 ネル内の高濃度バックグランド電解溶液が徐々に低濃度バックグランド電解液に置き換わり、その結果チャネルの電気抵抗が増加します。印可した定電圧下でこのセパレーションカレントの変化をモニターします。カレントが定電流に達したら電位を反転させ、上の行程を反復させます。
 * Huang, X., Gordon, M. J., Zare, R. N., Anal. Chem. 1988, 60, 1837–1838)
 カレントがプラトーに達するのに要した時間を等式１に代入してEOFを算出するのに使います。ここで、L は分離チャネルの長さ、V は総印可電圧、ｔはカレントがプラトーに達するのに要した秒単位の時間を表します。

@@ Line 29: / Line 29: @@
 C4D アンプからの出力 K シグナルをPowerChrom ユニットの入力１に接続します。PowerChrom ユニットの入力２で電流をモニターします。この二つのシグナルを PowerChrom ソフトウェアで連続的に表示させて記録します。
-== Electro-osmotic Flow Measurement using the Current Monitoring Method ==
+== '''電流をモニターすることによって電気浸透流（EOF)を測定します'''==
-The current monitoring method for EOF measurements was described previously (Huang, X., Gordon, M. J., Zare, R. N., Anal. Chem. 1988, 60, 1837–1838). Briefly, the first reservoir and the channel are filled with 20 mM BGE and the second reservoir is filled with 18 mM BGE. Upon application of high positive voltage in the first reservoir, EOF causes the lower concentration electrolyte solution to gradually displace the higher concentration BGE in the channel, resulting in an increase in the electrical resistance of the channel. The change in separation current under a constant applied voltage difference is monitored. Once a constant current is obtained, the potential is reversed and the above procedure repeats.
+電流をモニターする方法で EOF を測定することに関しては以前に報告*しました。簡単に説明すると、一つのリザーバとチャネルに 20 mM のBGE を充填し、別のリザーバに 18 mM のBGEを入れます。最初のリザーバに+の高電圧を掛けると直ぐに電気浸透流が始まり、チャ
-The time required to reach a current plateau is used to calculate EOF based on Equation 1, where L is the length of the separation channel, V is the total applied voltage, and t is the time in seconds required to reach the new current plateau.
+カレントがプラトーに達するのに要した時間を等式１に代入してEOFを算出するのに使います。ここで、L は分離チャネルの長さ、V は総印可電圧、ｔはカレントがプラトーに達するのに要した秒単位の時間を表します。
-             μ<sub>EOF</sub> = L<sup>2</sup>/Vt 		Equation 1
+             μ<sub>EOF</sub> = L<sup>2</sup>/Vt 		等式 1
 == Electro-osmotic Flow Measurement using the C4D ==

@@ Line 26: / Line 26: @@
 ** ヘッドステージゲイン ON
-== Experimental Setup ==
+== '''測定のセットアップ''' ==
-The delta K signal from the C4D Amp was connected to input 1 of the PowerChrom unit. The current monitor was connected to input 2 of the PowerChrom unit. This enable both the C4D and current signals to be displayed simultaneously in the PowerChrom software.
+C4D アンプからの出力 K シグナルをPowerChrom ユニットの入力１に接続します。PowerChrom ユニットの入力２で電流をモニターします。この二つのシグナルを PowerChrom ソフトウェアで連続的に表示させて記録します。
 == Electro-osmotic Flow Measurement using the Current Monitoring Method ==

@@ Line 18: / Line 18: @@
 このアプリケーションでは ER280 PowerChrom システム、旧型の EA120 C4D アンプと　ET121 プラットフォームを使いました。
-== Conditions ==
+== '''測定条件''' ==
-The results in this application note were obtained using the following conditions:
+ここで紹介する測定データは、下記の測定条件で記録したものです：
-* High voltage: +881 V
+* 高電圧: +881 V
-* C4D settings:
+* C4D 設定:
-** Frequency = 500 kHz
+** 周波数 = 500 kHz
-** Amplitude = 100 %
+** アンプリチュード = 100 %
-** Headstage gain ON
+** ヘッドステージゲイン ON
 == Experimental Setup ==